首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
以下是几种常见的多晶硅去除方法： 1.酸洗：多晶硅可以通过酸洗的方式去除表面的杂质和缺陷。 常用的酸洗溶液有浓硝酸、浓氢氟酸和浓盐酸等。 这种方法可以有效地去除多晶硅 2013年5月1日 一种去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）将原料硅在石墨坩埚中熔化；（2）将石墨板放置于熔融硅液的表面上，石墨板与外界直流电压的负极相 一种去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置_百度文库
了解更多
2019年10月23日 多晶硅生长时，需用石墨夹头夹持细长硅芯下端，石墨夹头作为电极对硅芯通入高压电流，使硅芯发热，炉腔内的气相三氯氢硅和氢气在高热硅芯表面发生化学 2009年8月5日 为了解决上述问题，本发明采用的方案为 一种去除原生多晶硅棒端面石墨夹头的方法， 先将多晶硅棒两端带有石墨夹头的原料敲下来，再将原料破碎成小块，然后 一种去除原生多晶硅棒端面石墨的方法 - X技术网
了解更多
2011年11月23日 本发明实施例公开了一种多晶硅清洗方法，该方法包括：将多晶硅置于SC-1清洗液中对其进行第一次清洗；采用纯水对所述多晶硅进行第一次漂洗；采用臭氧对所 2020年4月24日 多晶硅生长时，需用石墨夹头夹持细长硅芯下端，石墨夹头作为电极对硅芯通入高压电流，使硅芯发热，炉腔内的气相三氯氢硅和氢气在高热硅芯表面发生化学反 一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置的制作方法
了解更多
1996年8月12日 提出了从块状或颗粒状多晶硅的表面除去金属杂质的方法.把金属杂质和多晶硅暴露于气相卤素腐蚀剂中,使气相卤素腐蚀剂与暴露的金属杂质反应形成金属卤化物.气 多晶硅与石墨连接处怎样处理清除,包含了石墨卡瓣、含碳量高,只能作为废料处理,这样,沉降的多晶硅越多,去除卡帽10顶部的多晶硅难度越大,在卡帽10的顶部与侧壁之间的尖角处的温 多晶硅与石墨连接处怎样处理清除
了解更多
2023年8月22日 气相法： 气相法是制备多晶硅的一种重要方法。 它基于热化学反应，将硅源气体（如氯化硅）在高温下分解，使硅沉积在基底上。 这种方法的优势在于制备速度 2010年4月7日 本发明涉及一种多晶硅碳头料的硅碳分离方法，包括硅碳分离、清洗和表面处理步骤，硅碳 ... ，在密闭或通风条件下进行混合并充分浸泡0.5-8小时；表面处理步骤为将经清洗步骤水洗后去除石墨的多晶硅放入质量浓度5-10％的液碱溶液中浸泡 ...多晶硅碳头料的硅碳分离方法_百度文库
了解更多
2024年4月11日 多晶硅作为光伏领域的重要原材料之一，也是工业硅最主要的下 游之一。本篇为多晶硅期货系列报告的第一篇，主要介绍多晶硅概念、分类、生产工艺、产业链概率等。 多晶硅是单质硅的一种形态，呈现灰色金属光泽，密度2.32~2.34 g/cm3，熔点1410℃，沸点2022年8月31日 SiHCl3与H2的反应需要在石墨管中进行，反应温度需要控制在1500℃左右。反应物由石墨管的上部注入，经过一段时间的反应后，生成的Si将会以液态的形式聚集在石墨管的底部。这种制备多晶硅的方式与西门子法相比，减少了硅棒破碎的过程。多晶硅生产工艺 - 知乎
了解更多
2017年8月10日 3 .2 石墨在多晶硅生产中的 应用 目前市场上太阳能级多晶硅产品85%以上 是依靠改良西门子工艺生产制得,在改良西门子工艺生产过程中,高纯石墨以其优异的特性在多道工序中被广泛使用;例如多晶硅气相沉积的还原炉内要用到大量的石墨制品耗材 ...2011年10月20日 热压烧结样品表面的那层石墨纸如何才能处理掉？哪位有经验的童鞋知道啊，谢了！ 欢迎监督和反馈：小木虫仅提供交流平台，不对该内容负责。 欢迎协助我们监督管理，共同维护互联网健康，违规贴举报删除请联系邮箱：litianying3@tal 或者 QQ:755451780（点此查看侵权举报方式）热压烧结样品表面的石墨纸如何去除？ - 第 2 页 - 非金属 - 小 ...
了解更多
2023年4月18日 一种pecvd镀多晶硅用石墨舟的清洗方法技术领域.本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种pecvd镀多晶硅用石墨舟的清洗方法。背景技术.topcon单晶硅太阳能电池制备过程中需要在电池背面制作一层掺杂多晶硅作为钝化层，目前制备多晶硅钝化层的主流方式有lpcvd、pecvd和pvd法。其中，pecvd法 ...2018年8月7日 但是，由于碳元素的激活时间和速率，都远远地晚于甚至不及在石墨表面上被大量结晶硅所包裹的时间和速率，同时石墨表面也开始逐渐被硅所掩盖，导致在石墨表面上从开始时能够产生少量大气甲烷，到后来却又慢慢无法产生大量甲烷的。 1.2 CH4与碳的沉积多晶硅中碳杂质的来源及控制方法研究
了解更多
多晶硅的表面金属杂质引入探讨-（ 4 ） 硅 块包 装后 ， 从包 装 袋 里 取样 ， 取 与包 装 袋 袋 壁 接触 的样 。 整个 过程 用 P T F A镊子和托盘取样 ， 取 样 过 程 中 的 处理 方 法保持 一 致 。 2 ． 5 实 验方法 电感耦 合 等 离 子 体 质 谱 仪 （ E L A ...2023年6月12日 是当前多晶硅最主要的应用方向 多晶硅的生产方式主要有改良西门子法与硅烷流化床法，其 中，改良西门子法所生产出的多晶硅形态表现为块状，即棒 状硅；硅烷流床法生产出的多晶硅形态表现为球形颗粒状，即颗粒硅 根据多晶硅中掺入杂质及导电类型的不2023年中国光伏行业系列研究——多 晶硅研究报告 - East ...
了解更多
2013年5月1日 一种去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）将原料硅在石墨坩埚中熔化；（2）将石墨板放置于熔融硅液的表面上，石墨板与外界直流电压的负极相接，石墨坩埚与外界直流电压的正极相接，所施加的直流电压为10～100V；（3）通电2～4h后，在2021年1月26日 石墨粉主要是以油性为主，为了更好地洗掉那些油性物质，我们可以用清洁精或者牙膏清洗衣物。因为牙膏或者清洁精具有去除油腻、污渍等效果，衣物被鳞片石墨粉粘上之后，您挤上一点牙膏来回揉搓几次，接着用清水洗干净就可以了。清洗石墨粉的方法 - 百家号
了解更多
2023年11月16日 本发明属于多晶硅生产领域，具体涉及一种颗粒硅表面粉尘连续去除方法和装置。背景技术： 1、20世纪80年代美国联合碳化公司开发流化床法颗粒硅的工艺，改法产率高，相比于传统棒状硅，颗粒硅表面积大，按重量百分比由0.25％-3％的粉末或者灰尘，实际生产过程中需对颗粒硅表面附着硅粉进行 ...多晶硅的去除方法-多晶硅的去除方法多晶硅是一种常见的硅材料，常被用作太阳能电池片的主要原材料。在太阳能电池制造过程中，如果多晶硅上存在杂质或缺陷，会对电池的性能产生负面影响。因此，去除多晶硅中的杂质和缺陷是一个重要的工艺步骤。多晶硅的去除方法_百度文库
了解更多
摘要： 本申请公开了一种去除石墨盘表面氮化镓基化合物的方法,所述石墨盘放置在真空高温炉内,所述方法包括:升高温度至500℃900℃,使用N2分压,去除真空高温炉内及石墨盘上的杂质和水分;升高温度至1050℃1100℃,使用H2+N2混合气分压裂解氮化镓基化合物,同时去除氧化物;升高温度至1350℃1360℃,无分压 ...研究结果表明:西门子法多晶硅碳头料中硅料与石墨之间的界面生成了碳化硅,沉积的硅料镶嵌在石墨孔隙内,导致硅料与石墨的分离困难;浓硫酸与浓硝酸混合酸处理碳头料能使块体石墨分解,逐渐从碳头料表面脱落,且体积比为3:1时,效果最佳,但碳头料表面仍有少量西门子法多晶硅碳头料利用技术研究 - 百度学术
了解更多
石墨烯作为一种很有前途的2D材料，由于其独特的性能而被广泛研究。将CVD石墨烯从其原始金属箔转移到其他基材上对于其实际应用很重要。然而，在转移过程中通常用作支撑介体的PMMA的去除是麻烦的，因为PMMA分子会干扰石墨烯的基本性能，而常规的2012年12月23日 更多相关文档 太阳能固定膜光催化氧化去除饮用水中污染物研究 星级： 109 页 太阳能固定膜光催化氧化去除饮用水中污染物研究 星级： 107 页 太阳能多晶硅片表面线状缺陷的形貌特征及形成原因太阳能多晶硅片表面污染物去除技术的研究 - 道客巴巴
了解更多
2023年10月31日 SiHCl3与H2的反应需要在石墨管中进行，反应温度需要控制在1500℃左右。反应物由石墨管的上部注入，经过一段时间的反应后，生成的Si将会以液态的形式聚集在石墨管的底部。这种制备多晶硅的方式与西门子法相比，减少了硅棒破碎的过程。2011年4月5日 如何去除钨钼材料表面的石墨 层一般情况下旋锻或挤压的时候用到石墨，但是在加工过程中因为高温石墨一般被氧化成二氧化碳跑走了，如果还存在难以去除的部分就用碱洗，因为碱洗意味着材料部分被腐蚀，这种情况很少见 ...如何去除钨钼材料表面的石墨层_百度知道
了解更多
2020年6月30日 本发明涉及半导体生产设备维护领域，特别是涉及一种lpcvd石英舟的清理方法及清理设备。背景技术近年来，topcon高效太阳电池技术飞速发展，引发光伏人的关注，且已实现大规模产业化。topcon高效电池相比常规电池增加了遂穿氧化层及多晶硅沉积过程，但多晶硅沉积过程的引用会带来一系列的问题 ...2019年2月10日 利用自主研制的EBC去除装置，结合涂层去除前后的表面形貌分析，探究了去除工艺参数对涂层去除效果的影响规律，实现了涂层去除并明确了基体无损伤特征，讨论了涂层去除机理。无损CMC基体的EBC去除方法，为发展整套EBC维修再制造技术提供了基础SiC f /SiC表面环境障涂层的基体无损去除方法 - csejournal
了解更多
金属表面石墨的去除方法- 在选择去除方法时，需要考虑金属的种类、表面处理前后的要求以及具体的工艺条件。在执行任何去除方法之前，最好先进行小范围的试验，以确保所选方法不会对金属表面造成不良影响。金属表面石墨来自百度文库去除方法在 ...2024年3月21日 那么，这两种晶硅到底有何不同？它们的发展前景又如何呢？晶硅技术概览 晶硅，作为光伏发电的核心材料，其转换效率和技术成熟度直接影响着光伏系统的性能。单晶硅和多晶硅都是晶硅的形态，但在结构和性能上存在显著差异。单晶硅与多晶硅的区别 1.单晶硅与多晶硅：光伏领域的“双雄”对比-索比光伏网
了解更多
元素含量的常见手段主要可概括为两大类 。 1. 1 检测多晶硅表面元素分布的方法 多晶硅表面杂质元素的含量及分布直接关系到 其性能和特点， 常用的分析方法是 X 荧光光谱法 （ XRF） [1-2]， 此法可以定性、 定量分析包括 Fe 和 Al 等 多种杂质元素。2011年11月23日 采用纯水对所述多晶硅进行第二次漂洗。本发明所提供的多晶硅清洗方法，不仅能够去除多晶硅表面的 绝大部分杂质，而且还能去除多晶硅表面的油污和手印等有机物，从而可使清洗后的多晶硅表面的清洁度达到要求。 ©2022 Baidu ...多晶硅清洗方法_百度文库
了解更多
石墨上多晶硅薄膜的制备及择优取向的调控-相比拟的转换效率和较低的制作成本, 有望在未来 光伏发电应用中占主 导地位[ 1]。 ... 。研究表明, ( 220) 择 优取向与沉积过程中衬底表面晶核的形成、长大有 关。( 220) 取向的晶核在衬底表面形核以后, ...2022年4月2日 1.本发明涉及表面清理技术领域，具体为一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法。背景技术： 2.碳化硅涂层能够通过如含浸法或化学气相沉积法(cvd)等沉积方法形成。 通过含浸法形成的碳化硅层的耐久性通常较低；化学气相沉积法(cvd)从长远的角度看来还有可能会导致如装置的腐蚀以及空气的污染 ...一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法与流程 - X技术网
了解更多
2010年6月30日 太阳能级多晶硅中B、P杂质的危害及去除-太阳能级多晶硅中B、P 杂质的危害及去除 首页 文档 视频 音频 文集 文档 公司财报 ... 塔，使其在经济性、工艺、机械强度、抗腐蚀性等方面均有一定优越性，在不锈钢精馏塔内表面喷涂氟塑料46(F-46)是 ...2024年7月27日 TOPCon电池工艺一般为：先正面制绒、硼扩，再进行背面隧穿层、掺杂多晶硅层制备，之后再正面 Al 2 O 3 膜层制备、正反面SiNx膜制备，最后金属化。 与PERC时代时工艺路线之争相似，TOPCon工艺路线同样存在诸多争议与分歧。TOPCon电池重要技术之一：LPCVD工艺介绍 - 艾邦光伏网
了解更多